GaN基脊型激光二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310665266.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103618212B 公開（公告）日 2016-03-30
申請公布號 CN103618212B 申請公布日 2016-03-30
分類號 H01S5/343(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孟令海;康香寧;劉寧煬;陳景春;吳勇;劉詩宇;胡曉東 申請（專利權）人 北京燕園中鎵半導體工程研發(fā)中心有限公司
代理機構 北京萬象新悅知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 朱紅濤
地址 100080 北京市海淀區(qū)海淀路52號1705室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基脊型激光二極管的制備方法。首先，通過在干法蝕刻脊型之前在脊型的頂部使用P區(qū)接觸金屬電極作擋光層，然后使用旋涂技術涂布負性光敏性熱固化涂層膠。其次，通過背向曝光技術實現第二次光刻，擋光層可以有效阻止紫外光對脊型頂部光刻膠的曝光，實現光刻圖形。最后，根據負性光敏性熱固化涂層膠的性質，通過高溫固化手段得到結構完整規(guī)則的絕緣層。本發(fā)明的特點在于同時解決了目前脊型激光器電極窗口對準困難和絕緣層開窗口條件難于掌控的問題。