基于原位應力控制的III族氮化物厚膜自分離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210256655.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102817074B 公開（公告）日 2015-09-30
申請公布號 CN102817074B 申請公布日 2015-09-30
分類號 C30B25/16(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬志芳;楊志堅;張國義;李丁;吳潔君;賈傳宇;陳志忠;于彤軍;康香寧;胡曉東;秦志新;龍浩 申請（專利權(quán)）人 北京燕園中鎵半導體工程研發(fā)中心有限公司
代理機構(gòu) 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李稚婷
地址 100080 北京市海淀區(qū)海淀路52號1705室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于原位應力控制的III族氮化物厚膜自分離方法，在適當?shù)耐嘶饤l件下，對生長于襯底上的III族氮化物厚膜逐漸升高溫度，同時利用在位應力監(jiān)測系統(tǒng)監(jiān)測其應力，當應力狀態(tài)由負應力轉(zhuǎn)變?yōu)檎龖螅诟邷叵卤３忠欢螘r間，然后逐漸降低溫度，應力由正應力轉(zhuǎn)變?yōu)樨搼?，循環(huán)重復該升溫至降溫的過程，直至III族氮化物厚膜與襯底分離。本發(fā)明通過熱循環(huán)條件的調(diào)節(jié)，實現(xiàn)厚膜材料在特定位置的應力集中，在不斷的應力正負切換過程中，使厚膜的特定位置發(fā)生形變，降低了特定位置界面結(jié)合強度，從而實現(xiàn)了厚膜自分離，可運用于GaN厚膜的分離，工藝簡單可控，具有良好的應用前景。