一種基于銀基金屬鍵合的薄膜結(jié)構(gòu)LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510438112.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105047788A 公開（公告）日 2015-11-11
申請公布號 CN105047788A 申請公布日 2015-11-11
分類號 H01L33/48(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志忠;馬健;陳景春;姜爽;焦倩倩;李俊澤;蔣盛翔;李誠誠;康香寧;秦志新;張國義 申請（專利權(quán)）人 北京燕園中鎵半導(dǎo)體工程研發(fā)中心有限公司
代理機構(gòu) 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王巖
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于銀基金屬鍵合的薄膜結(jié)構(gòu)LED芯片及其制備方法。本發(fā)明采用了AgCuIn合金作為鍵合金屬層，鍵合溫度與保持時間降低；AgCuIn鍵合可以在較低的鍵合溫度與鍵合壓力下完成，鍵合時間縮短，有利于減少鍵合過程對LED外延層的光電性能的損傷；采用AgCuIn合金的鍵合金屬層，消除了鍵合過程中的空洞現(xiàn)象，有利于對LED外延層的應(yīng)力釋放；AgCuIn鍵合機械性能高，具有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱性能，有利于提高LED芯片的壽命；并且，采用AgCuIn作為鍵合金屬，極大的降低了垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制造成本，有利于垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的市場化發(fā)展。