無翹曲Ⅲ族氮化物復合襯底的制備方法和襯底放置裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510023297.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105845798B 公開（公告）日 2018-10-19
申請公布號 CN105845798B 申請公布日 2018-10-19
分類號 H01L33/30;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳潔君;程玉田;于彤軍;韓彤;張國義 申請（專利權）人 北京燕園中鎵半導體工程研發(fā)中心有限公司
代理機構 北京萬象新悅知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 北京大學;北京燕園中鎵半導體工程研發(fā)中心有限公司
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公布一種無翹曲Ⅲ族氮化物復合襯底的制備方法和襯底放置裝置，將雙面拋光的襯底直立于襯底放置裝置置于反應室內(nèi)，雙面同時外延生長Ⅲ族氮化物薄膜或微結構形成緩沖層，再雙面同時生長厚膜Ⅲ族氮化物，并保證藍寶石Al面一側外延厚度稍大于O面一側外延層厚度。襯底放置裝置為多片式石墨架，包括基底、孔洞、滾輪和卡槽，實現(xiàn)襯底旋轉，保證生長膜厚的均一性。本發(fā)明抑制了翹曲并改善了晶體質(zhì)量，獲得的復合襯底可作為Ⅲ族氮化物準同質(zhì)外延襯底，用于制備相關光電子器件。本方法充分利用反應室空間、降低生產(chǎn)成本、工藝簡單易控，且可選不同襯底、運用多種設備生長多種厚膜Ⅲ族氮化物襯底。