一種基于銀基金屬鍵合的薄膜結(jié)構(gòu)LED芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510438112.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105047788B 公開(kāi)（公告）日 2017-12-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN105047788B 申請(qǐng)公布日 2017-12-01
分類號(hào) H01L33/48(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志忠;馬健;陳景春;姜爽;焦倩倩;李俊澤;蔣盛翔;李誠(chéng)誠(chéng);康香寧;秦志新;張國(guó)義 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京燕園中鎵半導(dǎo)體工程研發(fā)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王巖
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于銀基金屬鍵合的薄膜結(jié)構(gòu)LED芯片及其制備方法。本發(fā)明采用了AgCuIn合金作為鍵合金屬層，鍵合溫度與保持時(shí)間降低；AgCuIn鍵合可以在較低的鍵合溫度與鍵合壓力下完成，鍵合時(shí)間縮短，有利于減少鍵合過(guò)程對(duì)LED外延層的光電性能的損傷；采用AgCuIn合金的鍵合金屬層，消除了鍵合過(guò)程中的空洞現(xiàn)象，有利于對(duì)LED外延層的應(yīng)力釋放；AgCuIn鍵合機(jī)械性能高，具有良好的導(dǎo)電與導(dǎo)熱性能，有利于提高LED芯片的壽命；并且，采用AgCuIn作為鍵合金屬，極大的降低了垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的制造成本，有利于垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的市場(chǎng)化發(fā)展。