一種基于GaN厚膜的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510349047.3 申請日 -
公開（公告）號 CN105023984A 公開（公告）日 2015-11-04
申請公布號 CN105023984A 申請公布日 2015-11-04
分類號 H01L33/32(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳志忠;馬健;陳景春;姜爽;焦倩倩;李俊澤;蔣盛翔;李誠誠;康香寧;秦志新;張國義 申請（專利權(quán)）人 北京燕園中鎵半導體工程研發(fā)中心有限公司
代理機構(gòu) 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王巖
地址 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于GaN厚膜的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及其制備方法。本發(fā)明采用了20～100μm厚膜的LED外延片，器件結(jié)構(gòu)的堅固性大為提高；采用了激光劃片和平面化介質(zhì)填充工藝，減少激光剝離的損傷和后續(xù)芯片工藝的難度，提高了成品率；同時利用周期性的金屬納米結(jié)構(gòu)，形成的表面等離激元與LED多量子阱的偶極子產(chǎn)生共振，提高內(nèi)量子效率，同時因為ITO大面積和p型接觸層相接觸，并不影響電學性質(zhì)；在電極方面，創(chuàng)新性的使用了接觸層技術(shù)以及PdInNiAu的金屬結(jié)構(gòu)，改善了接觸的性能和穩(wěn)定性。本發(fā)明還針對厚膜垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的特點，設(shè)計了電流擴展層及電極結(jié)構(gòu)，進一步提高電流分布的均勻性。