無(wú)翹曲Ⅲ族氮化物復(fù)合襯底的制備方法和襯底放置裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510023297.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN105845798A | 公開(kāi)（公告）日 | 2016-08-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105845798A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-08-10 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/30(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 吳潔君;程玉田;于彤軍;韓彤;張國(guó)義 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京燕園中鎵半導(dǎo)體工程研發(fā)中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京萬(wàn)象新悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 蘇愛(ài)華 |
| 地址 | 100871 北京市海淀區(qū)頤和園路5號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公布一種無(wú)翹曲Ⅲ族氮化物復(fù)合襯底的制備方法和襯底放置裝置，將雙面拋光的襯底直立于襯底放置裝置置于反應(yīng)室內(nèi)，雙面同時(shí)外延生長(zhǎng)Ⅲ族氮化物薄膜或微結(jié)構(gòu)形成緩沖層，再雙面同時(shí)生長(zhǎng)厚膜Ⅲ族氮化物，并保證藍(lán)寶石Al面一側(cè)外延厚度稍大于O面一側(cè)外延層厚度。襯底放置裝置為多片式石墨架，包括基底、孔洞、滾輪和卡槽，實(shí)現(xiàn)襯底旋轉(zhuǎn)，保證生長(zhǎng)膜厚的均一性。本發(fā)明抑制了翹曲并改善了晶體質(zhì)量，獲得的復(fù)合襯底可作為Ⅲ族氮化物準(zhǔn)同質(zhì)外延襯底，用于制備相關(guān)光電子器件。本方法充分利用反應(yīng)室空間、降低生產(chǎn)成本、工藝簡(jiǎn)單易控，且可選不同襯底、運(yùn)用多種設(shè)備生長(zhǎng)多種厚膜Ⅲ族氮化物襯底。 |
