一種單射頻加雙燈管臭氧濃度發(fā)生器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922029732.4 申請日 -
公開（公告）號 CN210765584U 公開（公告）日 2020-06-16
申請公布號 CN210765584U 申請公布日 2020-06-16
分類號 C30B33/00(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 周智波 申請（專利權(quán)）人 湖北天合光能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊文錄
地址 433000湖北省仙桃市桃花嶺大道中段28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開的屬于晶體硅太陽能電池清洗設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域的一種單射頻加雙燈管臭氧濃度發(fā)生器，包括裝置箱、氧氣發(fā)生器、雙燈管臭氧發(fā)生器、射頻臭氧發(fā)生器和氮氣發(fā)生器，裝置箱的內(nèi)底壁螺接有氧氣發(fā)生器，氧氣發(fā)生器的出氣口與輸氧管管組的進(jìn)氣側(cè)連接，輸氧管管組的出氣側(cè)分別與雙燈管臭氧發(fā)生器和射頻臭氧發(fā)生器的進(jìn)氣口固定連接，雙燈管臭氧發(fā)生器和射頻臭氧發(fā)生器底部的臭氧輸出口均與臭氧管管組的進(jìn)氣側(cè)固定連接，臭氧管管組的出氣側(cè)與臭氧噴淋板連接，裝置箱的頂壁螺接有氮氣發(fā)生器，氮氣發(fā)生器的出氣口與氮氣管的進(jìn)氣側(cè)連接，氮氣管的另一端與臭氧管管組連接，本裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計科學(xué)合理，確保硅片表面能形成一層均勻致密的氧化層(SiO2層)。??