晶體硅太陽(yáng)能電池的退火方法和晶體硅太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110896871.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113782636A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113782636A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李吉;楊聯(lián)贊;時(shí)寶;林綱正;陳剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 珠海富山愛旭太陽(yáng)能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賈振勇
地址 300400天津市北辰區(qū)天津北辰經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)科技園高新大道73號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)適用于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種晶體硅太陽(yáng)能電池的退火方法和晶體硅太陽(yáng)能電池。晶體硅太陽(yáng)能電池的退火方法包括：將待氧化的硅片放入退火爐；利用氮?dú)夂脱鯕鈱?duì)退火爐中的硅片進(jìn)行熱氧化處理，以在硅片形成氧化硅層，氧氣的占比范圍為75％?90％，氮?dú)獾恼急确秶鸀?0％?25％；對(duì)硅片進(jìn)行降溫退火處理。如此，可以更好地鈍化硅片的表面，減少少數(shù)載流子的表面負(fù)荷，有利于提升光電轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，這樣可以生成更為致密的氧化硅層，改善電池片的PID。