多芯片系統級封裝結構的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310067499.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103165479B 公開（公告）日 2015-10-14
申請公布號 CN103165479B 申請公布日 2015-10-14
分類號 H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于大全;劉海燕 申請（專利權）人 江蘇中科物聯網科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司
代理機構 無錫市大為專利商標事務所（普通合伙） 代理人 華進半導體封裝先導技術研發(fā)中心有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市無錫國家高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)菱湖大道200號中國傳感網國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種多芯片系統級封裝結構的制作方法，該結構包括具有TSV硅通孔和凸點結構的轉接板芯片，一個大尺寸芯片和多個小尺寸芯片或小尺寸芯片的堆疊。本發(fā)明將單顆大芯片倒裝連接至轉接板晶圓；再經轉接板晶圓切割、電性能測試；小尺寸芯片或小尺寸芯片堆疊與轉接板芯片互連；再次對轉接板封裝結構進行電性能測試；轉接板封裝結構與基板互連，形成最終的封裝結構。其優(yōu)點是：本發(fā)明的制作方法避免了超薄的硅轉接板不易拿持的問題，并顯著提高了封裝效率和產品的良率，降低了生產成本。