高深寬比通孔的互連結(jié)構(gòu)及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310046987.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103077932B 公開（公告）日 2015-10-14
申請公布號 CN103077932B 申請公布日 2015-10-14
分類號 H01L23/48(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于大全;姜峰 申請（專利權(quán)）人 江蘇中科物聯(lián)網(wǎng)科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 華進半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市無錫國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高深寬比通孔的互連結(jié)構(gòu)及制作方法，其包括基板，基板內(nèi)設(shè)有若干通孔；在基板的第一主面上淀積有第一阻擋層，第二主面上淀積有第二阻擋層；第一阻擋層與第二阻擋層相接觸，且第一阻擋層將通孔分隔成上填充槽及與所述上填充槽對應(yīng)的下填充槽，且上填充槽與下填充槽通過第一阻擋層隔離；在上填充槽內(nèi)填充有第一金屬填充體，在下填充槽內(nèi)填充有第二金屬填充體，第一金屬填充體通過第一阻擋層及第二阻擋層與第二金屬填充體電連接；第一金屬填充體、第二金屬填充體、第一阻擋層及第二阻擋層與基板間絕緣連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單緊湊，提高互連結(jié)構(gòu)通孔的深寬比，降低成本，工藝步驟簡單，安全可靠。