一種減少硅通孔電鍍銅后晶圓表面過電鍍的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310173844.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103258810B 公開（公告）日 2015-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN103258810B 申請(qǐng)公布日 2015-07-08
分類號(hào) H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于大全;伍恒;程萬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科物聯(lián)網(wǎng)科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司;上海國增知識(shí)產(chǎn)權(quán)服務(wù)有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市無錫國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園D1棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種減少硅通孔電鍍銅后晶圓表面過電鍍的方法，屬于晶圓級(jí)電鍍銅填孔技術(shù)領(lǐng)域。其在晶圓表面依次做完垂直硅通孔刻蝕、絕緣層、銅擴(kuò)散阻擋層和銅種子層之后，于電鍍填充銅工藝之前，在晶圓表面和垂直硅通孔孔口處再做一層特殊層，所述特殊層材質(zhì)為金屬Ta、V、Ti、Al、Fe或非金屬TiN、TaN、AlN。所述特殊層在垂直硅通孔孔口處的高度不大于在晶圓表層的絕緣層、銅擴(kuò)散阻擋層和銅種子層三者厚度之和。本發(fā)明工藝簡單，可有效阻擋表層的銅沉積，減輕CMP負(fù)擔(dān)，降低成本。