一種基于二硫化鉬晶體管的閃爍體探測(cè)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610057643.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105676259B 公開（公告）日 2018-12-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN105676259B 申請(qǐng)公布日 2018-12-04
分類號(hào) G01T1/202;H01L31/18 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 蘇曉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泉州市金太陽電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 362000 福建省泉州市鯉城區(qū)江南南環(huán)路高新技術(shù)電子信息產(chǎn)業(yè)園區(qū)1303號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于二硫化鉬晶體管的閃爍體探測(cè)器，所述閃爍體探測(cè)器包括一導(dǎo)電硅基底，所述導(dǎo)電硅基底背表面設(shè)有柵電極，正表面設(shè)有柵絕緣層，所述柵絕緣層上設(shè)有單層二硫化鉬，所述單層二硫化鉬兩端設(shè)有源電極和漏電極，所述源電極和漏電極連接?xùn)沤^緣層；所述單層二硫化鉬上設(shè)有閃爍體，所述閃爍體位于源電極和漏電極之間，所述閃爍體外包覆有保護(hù)層。本發(fā)明所述的基于二硫化鉬晶體管的閃爍體探測(cè)器為光電晶體管并作為閃爍體探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)換器件，在單層二硫化鉬上直接沉積閃爍體作為高能粒子接收體，具有靈敏度高，響度速度快，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低的特性。