一種基于二硫化鉬晶體管的閃爍體探測器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610057643.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105676259A 公開（公告）日 2016-06-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN105676259A 申請(qǐng)公布日 2016-06-15
分類號(hào) G01T1/202(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 蘇曉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 泉州市金太陽電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 214177 江蘇省無錫市惠山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)堰新路311號(hào)1號(hào)樓0209、0211室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于二硫化鉬晶體管的閃爍體探測器，所述閃爍體探測器包括一導(dǎo)電硅基底，所述導(dǎo)電硅基底背表面設(shè)有柵電極，正表面設(shè)有柵絕緣層，所述柵絕緣層上設(shè)有單層二硫化鉬，所述單層二硫化鉬兩端設(shè)有源電極和漏電極，所述源電極和漏電極連接?xùn)沤^緣層；所述單層二硫化鉬上設(shè)有閃爍體，所述閃爍體位于源電極和漏電極之間，所述閃爍體外包覆有保護(hù)層。本發(fā)明所述的基于二硫化鉬晶體管的閃爍體探測器為光電晶體管并作為閃爍體探測器的光電轉(zhuǎn)換器件，在單層二硫化鉬上直接沉積閃爍體作為高能粒子接收體，具有靈敏度高，響度速度快，結(jié)構(gòu)簡單，成本低的特性。