一種CVD化學氣相沉積法制備石墨烯薄膜專用支架

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202220182852.7 申請日 -
公開（公告）號 CN216838170U 公開（公告）日 2022-06-28
申請公布號 CN216838170U 申請公布日 2022-06-28
分類號 C23C16/26（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 郝振亮;蔡金明;陳其贊;黃文添 申請（專利權(quán)）人 廣東墨?？萍加邢薰?/a>
代理機構(gòu) 東莞科強知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 523000廣東省東莞市道滘鎮(zhèn)萬道路道滘段2號12號樓101室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種CVD化學氣相沉積法制備石墨烯薄膜專用支架，包括定位板和至少三根支撐桿，所述定位板平行相對設(shè)置有兩塊；兩所述定位板之間形成用于放置生長基底的空間；所述支撐桿的末端與所述定位板連接，形成用于卷繞生長基底的承托面；任意一根所述支撐桿上設(shè)置有用于固定所述生長基底的固定件。本實用新型同時可以在多個承托面上生長石墨烯，從而實現(xiàn)提高CVD法制備石墨烯薄膜的產(chǎn)能。同時由于支架的支撐作用，生長基底不與石英管直接接觸，避免生長基底在高溫反應(yīng)的過程中發(fā)生形變，提高產(chǎn)品的良品率。