一種低硼純晶硅

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810502251.8 申請日 -
公開（公告）號 CN108441952A 公開（公告）日 2018-08-24
申請公布號 CN108441952A 申請公布日 2018-08-24
分類號 C30B29/06;C30B28/04 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 豆衍林;孔德倉;豆旭東;豆中寶;瞿朝柱;豆鵬壽;豆巨鵬 申請（專利權）人 永靖縣申通耐磨材料有限公司
代理機構 蘭州中科華西專利代理有限公司 代理人 甘肅金土新能源材料科技有限公司;永靖縣申通耐磨材料有限公司
地址 731600 甘肅省臨夏回族自治州永靖縣劉家峽鎮(zhèn)大莊村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的目的在于提供一種低硼純晶硅，此低硼純晶硅能夠達到太陽能級純晶硅的要求，是以物理法純晶硅生產方式替代西門子法、改良西門子法或硅烷法等化學法生產的純晶硅，首先將碳原料與二氧化硅混合，在1500?2700℃的溫度下進行第一次冶煉制得碳化硅；然后將a步驟制得的碳化硅再次與二氧化硅混合，在1500?2700℃的溫度下進行第二次冶煉，制得低硼純晶硅。本發(fā)明通過選用硼含量小于0.2ppm的碳原料、硼含量小于0.14ppm的第一部分二氧化硅和硼舍量小于0.14ppm的第二部分二氧化硅，冶煉制得的純晶硅無需再次脫硼即能夠滿足太陽能級低硼純晶硅的要求。本發(fā)明在太陽能級純晶硅市場上有極大的推廣價值，符合國家目前大力提倡的循環(huán)經濟，具有顯著的環(huán)境效益和社會效益。