一種低電壓雙邊放大的靈敏放大器電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201711346678.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN108282153B | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108282153B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03F3/00;H03K17/687 | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 馮國(guó)友;王楠;王璐 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海元好知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 賈慧琴 |
| 地址 | 200000 上海市浦東新區(qū)盛夏路560號(hào)504室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低電壓雙邊放大的靈敏放大器電路，該電路包含存儲(chǔ)電路、主靈敏放大電路和預(yù)充電電路；存儲(chǔ)電路其設(shè)有存儲(chǔ)陣列；主靈敏放大電路檢測(cè)與其連接的存儲(chǔ)陣列的存儲(chǔ)單元；主靈敏放大電路設(shè)有若干個(gè)PMOS晶體管和若干個(gè)NMOS晶體管；PMOS晶體管為自偏置連接，使PMOS晶體管和NMOS晶體管在預(yù)充電結(jié)束后處于飽和區(qū)；預(yù)充電電路將與其連接的主靈敏放大電路預(yù)充電到使該靈敏放大器電路平衡的電壓點(diǎn)。本發(fā)明的靈敏放大器電路，不管讀有電流存儲(chǔ)單元還是無(wú)電流存儲(chǔ)單元，都處于放大區(qū)域，可以使靈敏放大器電路的輸出壓差裕量都足夠大，并且有較快的響應(yīng)速度。 |
