非易失存儲器擦除編程方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110319206.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113077831A 公開（公告）日 2021-07-06
申請公布號 CN113077831A 申請公布日 2021-07-06
分類號 G11C16/14（2006.01）I;G11C16/10（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 陳濤;汪齊方;馮國友 申請（專利權）人 普冉半導體（上海）股份有限公司
代理機構 上海浦一知識產權代理有限公司 代理人 王江富
地址 201210上海市浦東新區(qū)盛夏路560號504室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種非易失存儲器擦除編程方法，擦除操作時，將A類存儲區(qū)的各存儲單元進行標準擦除變?yōu)椴脸隣顟B(tài)1，將B類存儲區(qū)的各存儲單元進行弱擦除改變?yōu)槿醪脸隣顟B(tài)；編程操作時，根據編程數據對所述A類存儲區(qū)存儲單元進行編程，使對應于編程數據1的A類存儲區(qū)存儲單元保持擦除狀態(tài)，使對應于編程數據0的A類存儲區(qū)存儲單元進行標準編程變?yōu)闃藴示幊虪顟B(tài)0，同時對B類存儲區(qū)的各存儲單元不進行操作仍維持為弱擦除狀態(tài)。該非易失存儲器擦除編程方法，讀出電路能根據A類存儲區(qū)存儲單元同B類存儲區(qū)存儲單元的讀出電流之間的大小關系來準確確定A類存儲區(qū)存儲單元所存儲的數據，能提高存儲器產品存儲編程數據的可靠性。