硅片的濕法蝕刻方法和裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210325636.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114724948A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114724948A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L21/3213（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁兆龍;王國峰 申請（專利權(quán)）人 青島惠科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 266200山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種硅片的濕法蝕刻方法和裝置，步驟包括，將表面形成有金屬膜層的硅片浸入金屬蝕刻液中；等待反應(yīng)預(yù)設(shè)時間，將反應(yīng)后的硅片提離金屬蝕刻液；重復(fù)將反應(yīng)后的硅片浸入金屬蝕刻液中，并等待反應(yīng)預(yù)設(shè)時間，將反應(yīng)后的硅片提離金屬蝕刻液，直至硅片表面的金屬膜層蝕刻完成。通過上述步驟，將硅片反復(fù)的上下拋動，保證了每個硅片的速度是相同的，相對于旋轉(zhuǎn)硅片，不會出現(xiàn)靠近旋轉(zhuǎn)中心的硅片的速度小，而遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)中心的硅片的速度大，保證硅片蝕刻均勻性，也避免硅片因?yàn)樗俣冗^大而破損，且把硅片提離液位的方式，將硅片表面殘留的生成物帶走，避免生成物附著在硅片的表面，阻止蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行，提高反應(yīng)效率。