芯片及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110289994.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114361237A | 公開（公告）日 | 2022-04-15 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114361237A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-15 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 史仁先;王國(guó)峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青島惠芯微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 邢濤 |
| 地址 | 266200山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了芯片及其制作方法，所述芯片包括依次堆疊設(shè)置的硅片、外延層和勢(shì)壘層，所述硅片的其中一面上設(shè)有溝槽，所述外延層和勢(shì)壘層設(shè)置在所述硅片中設(shè)有溝槽的一面上，且覆蓋所述溝槽；所述勢(shì)壘層、勢(shì)壘層正下方的外延層形成勢(shì)壘區(qū)。本申請(qǐng)通過在硅片的表面設(shè)置溝槽，使得勢(shì)壘區(qū)的面積增大，進(jìn)而使得勢(shì)壘區(qū)可以承受的電流密度增加，導(dǎo)致芯片的正向壓降降低，這樣在相同的芯片尺寸下，本申請(qǐng)由于正向壓降較低就有了明顯的優(yōu)勢(shì)，使得產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力得到了提高。 |
