半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210333552.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114724936A 公開(kāi)（公告）日 2022-07-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN114724936A 申請(qǐng)公布日 2022-07-08
分類(lèi)號(hào) H01L21/228（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 史仁先;王國(guó)峰 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 青島惠科微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華夏泰和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 266227山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件的制備方法包括提供清洗后的硅片，通入液態(tài)磷源在第一溫度下進(jìn)行擴(kuò)散以在硅片上形成摻雜區(qū)；對(duì)硅片第一面的摻雜區(qū)打磨預(yù)設(shè)深度，采用液態(tài)硼源在硅片第一面涂覆預(yù)設(shè)厚度；使硅片在第二溫度下進(jìn)行高溫處理，以使磷離子和硼離子注入硅片內(nèi)；對(duì)硅片的表面進(jìn)行處理，包括對(duì)硅片第一面噴砂處理，在硅片上形成臺(tái)面溝槽，對(duì)臺(tái)面溝槽處進(jìn)行劃片得到單個(gè)芯粒。本申請(qǐng)?zhí)峁┑闹苽浞椒ㄖ苽湫瘦^高，在制備過(guò)程中對(duì)晶圓的物理沖擊小、環(huán)境污染小，且形成的PN結(jié)較平整，可以應(yīng)用于例如汽車(chē)電子領(lǐng)域等高溫環(huán)境中。