肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210307568.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114709252A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114709252A 申請公布日 2022-07-05
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王國峰;李京兵;石曉宇 申請（專利權(quán)）人 青島惠科微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 266227山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種肖特基二極管及肖特基二極管的制備方法，其中，肖特基二極管包括外延層、第一氧化層、勢壘層、第一金屬層以及第二金屬層，其中，外延層設(shè)置有PN結(jié)，PN結(jié)沿外延層厚度方向?qū)⑼庋訉觿澐譃镻區(qū)和N區(qū)，外延層還設(shè)置有環(huán)形凹槽，環(huán)形凹槽的開口端設(shè)置于P區(qū)；第一氧化層設(shè)置于P區(qū)遠離N區(qū)的一面，且位于環(huán)形凹槽的環(huán)形外；勢壘層設(shè)置于P區(qū)遠離N區(qū)的一面，且位于環(huán)形凹槽的環(huán)形內(nèi)；第一金屬層設(shè)置于第一氧化層遠離外延層的一面；第二金屬層設(shè)置于勢壘層遠離外延層的一面；填充結(jié)構(gòu)設(shè)置于環(huán)形凹槽的凹槽內(nèi)。本申請通過PN結(jié)以及環(huán)形凹槽的設(shè)置，進一步提高了反向擊穿電壓，同時可有效降低反向漏電電流，提高高溫反向偏壓的可靠性。