一種應(yīng)用在5G毫米波頻段24.5-27.5GHz的TR芯片
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111540057.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN114421896A | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-04-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN114421896A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-29 |
分類(lèi)號(hào) | H03F1/26(2006.01)I;H03F1/30(2006.01)I;H03F1/56(2006.01)I;H03F3/193(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 王桐;羅力偉;王祁鈺;楊柯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 四川益豐電子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京中索知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 唐亭 |
地址 | 610000四川省成都市青羊區(qū)敬業(yè)路218號(hào)7棟2樓1號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用在5G毫米波頻段24.5?27.5GHz的TR芯片,涉及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域,包括三級(jí)放大電路的5W功率放大器芯片和四級(jí)放大的低噪聲放大器芯片,滿足5G毫米波頻段高功率、高效率、低噪聲、高增益、低駐波、小型化應(yīng)用場(chǎng)景下保持高性能,整個(gè)電路由硅基氮化鎵工藝實(shí)現(xiàn),在滿足基本功率密度的同時(shí),成本更低,集成度好。 |
