一種基于前驅(qū)溶液控制ZnO膜成膜厚度的方法及其應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010351032.1 申請日 -
公開(公告)號 CN112133638A 公開(公告)日 2020-12-25
申請公布號 CN112133638A 申請公布日 2020-12-25
分類號 H01L21/365(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王肖珩;肖志河;周翔;喬元哲;周健 申請(專利權(quán))人 中國長峰機電技術(shù)研究設(shè)計院
代理機構(gòu) 北京格允知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京環(huán)境特性研究所;中國長峰機電技術(shù)研究設(shè)計院;北京遙感設(shè)備研究所
地址 100854北京市海淀區(qū)永定路50號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于前驅(qū)體溶液控制ZnO膜成膜厚度的方法及其應(yīng)用。該方法通過將前驅(qū)體溶液通過化學(xué)氣相沉積法得到ZnO膜,所述前驅(qū)體溶液為添加有乙酸的乙酸鋅水溶液,通過控制乙酸在前驅(qū)體溶液中的濃度來控制ZnO膜的成膜厚度;其中,乙酸在前驅(qū)體溶液中的濃度為0.06?0.09。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)前驅(qū)體溶液中的乙酸濃度來控制熱解反應(yīng)及ZnO高溫結(jié)晶生長速度,進(jìn)而非常有效地改變ZnO薄膜厚度;本發(fā)明將乙酸在前驅(qū)體溶液中的濃度控制在0.06?0.09,找到了最適合ZnO薄膜均勻穩(wěn)定生長的乙酸濃度,并能夠達(dá)到利用乙酸濃度調(diào)控薄膜厚度在百納米級的變化,成膜厚度從200nm~400nm可調(diào)。??