一種消除硅片同心圓缺陷的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201511004233.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105568390B 公開（公告）日 2018-07-06
申請公布號 CN105568390B 申請公布日 2018-07-06
分類號 C30B31/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 任丙彥;李世杰;陳世杰;吳成志;劉曉燕;武哲 申請（專利權(quán)）人 寧晉賽美港龍電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊元匯專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉聞鐸
地址 055550 河北省邢臺市寧晉縣晶龍大街279號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種消除硅片同心圓缺陷的方法，屬于單晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，該方法在實(shí)施之前，通過PL光致發(fā)光測試系統(tǒng)對硅片進(jìn)行篩選，篩選出將來會出現(xiàn)同心圓缺陷的硅片，該方法首先將硅片放入石英舟中，再放入擴(kuò)散爐對硅片進(jìn)行加熱，加熱之前向擴(kuò)散爐中充滿高純氬氣，擴(kuò)散爐加熱至680℃后進(jìn)行恒溫保持，30min后將硅片拿出并使用降溫器進(jìn)行快速降溫，最后形成合格的硅片，降溫器能夠用于大量硅片的快速冷卻，風(fēng)冷的效果較為均勻，能夠避免硅片出現(xiàn)品質(zhì)不均勻而導(dǎo)致不能使用的情況，該發(fā)明的應(yīng)用能夠使得存在同心圓缺陷的硅片原片回收利用，提高硅棒切片后的利用率，降低硅片的生產(chǎn)成本。