一種碳化硅IGBT基板骨架真空壓力滲鋁裝置及雙面覆鋁方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310426982.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103433491B 公開（公告）日 2015-05-13
申請公布號 CN103433491B 申請公布日 2015-05-13
分類號 B22F3/26(2006.01)I;C23C10/22(2006.01)I 分類 鑄造；粉末冶金;
發(fā)明人 舒陽會;胡娟 申請（專利權）人 湖南航天有限責任公司
代理機構 長沙正奇專利事務所有限責任公司 代理人 湖南航天工業(yè)總公司
地址 410205 湖南省長沙市岳麓區(qū)楓林三路217號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種碳化硅IGBT基板骨架真空壓力滲鋁裝置及雙面覆鋁方法。該裝置包括陶瓷坩堝，設置在陶瓷坩堝底部的帶孔石墨板；裝在陶瓷坩堝內的多塊碳化硅IGBT基板骨架和多塊不銹鋼陶瓷組合板；相鄰兩塊碳化硅IGBT基板骨架之間設有一塊與之平行布置的所述不銹鋼陶瓷組合板；所述陶瓷坩堝的側壁上開有用于固定所述碳化硅IGBT基板骨架或不銹鋼陶瓷組合板的卡槽；所述陶瓷坩堝內裝有含硅質量分數(shù)大于13%的鑄造鋁合金。本發(fā)明解決了鋁碳化硅IGBT基板雙面均勻覆鋁合金的技術難題，陶瓷坩堝可重復使用，成本低，產(chǎn)量高、質量好，適合于批量生產(chǎn)。