一種金納米晶界面碳基材料超組裝可控生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910989066.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111647871B 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN111647871B 申請公布日 2022-05-24
分類號 C23C16/26（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C25D11/12（2006.01）I;B22F9/24（2006.01）I;C01B32/186（2017.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 梁秀;許冠辰;李寧;劉家慶;李勇;高萌 申請（專利權(quán)）人 山東省科學(xué)院新材料研究所
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南千慧專利事務(wù)所（普通合伙企業(yè)） 代理人 -
地址 250000山東省濟(jì)南市歷下區(qū)科院路19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種金屬納米晶界面碳基材料超組裝可控生長方法，形成結(jié)構(gòu)可控的周期性陣列結(jié)構(gòu)，并通過等離子化學(xué)沉積（PECVD）方法，對納米晶進(jìn)行表面碳基材料的原位包覆，獲得多元超組裝納米晶?碳基復(fù)合材料的新方法。本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的優(yōu)點在于：本發(fā)明以AAO為模板制備的SERS陣列材料，形貌可控，重復(fù)性好，多孔陣列結(jié)構(gòu)可通過模板結(jié)構(gòu)進(jìn)行有效的熱點調(diào)控，方法穩(wěn)定性強(qiáng)。本發(fā)明采用的制備方法簡單、可操作性強(qiáng)，成本低廉、環(huán)境友好、效率較高，可作為大規(guī)模批量生產(chǎn)優(yōu)良性能的SERS基底的方法，制備方法易于工業(yè)化生產(chǎn)，方法普適性強(qiáng)。