一種擴散高方阻硅片的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910834290.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112447879A 公開（公告）日 2021-03-05
申請公布號 CN112447879A 申請公布日 2021-03-05
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾德棟;陳議文 申請（專利權(quán)）人 海南英利新能源有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 570000海南省?？谑泻？趪腋咝录夹g(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)獅子嶺工業(yè)園區(qū)光伏南路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種擴散高方阻硅片的處理方法，包括如下步驟，S1：將擴散高方阻硅片放入H2SO4/HNO3/HF的混合溶液進行次刻蝕，刻蝕深度為（1.0?1.2）um；S2：將所述刻蝕后的所述高方阻硅片用DI純水清洗；S3：用KOH溶液去除所述高方阻硅片表面多孔硅結(jié)構(gòu)；S4：DI純水清洗；S5：用HF溶液去除述高方阻硅片表面的氧化層；S6：DI純水清洗；S7：烘干槽烘干；S8：將烘干后的所述高方阻硅片再次轉(zhuǎn)入擴散工序進行二次擴散，二次擴散溫度比常規(guī)擴散工藝溫度低10?30℃；S9：將二次擴散后的所述高方阻硅片進行二次刻蝕，提高背拋效果，然后轉(zhuǎn)入正常生產(chǎn)工序。??