具有高Q值的聲表面波諧振器及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110769326.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113346859A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113346859A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-03 |
| 分類(lèi)號(hào) | H03H3/10（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H9/25（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 朱賽寧;彭時(shí)秋;王濤;陳培倉(cāng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 無(wú)錫中微晶園電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立秋 |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園A座二層203室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種聲表面波諧振器及其制備方法，尤其是一種具有高Q值的聲表面波諧振器及其制備方法。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述具有高Q值的聲表面波諧振器，包括壓電基片、設(shè)置于所述壓電基片上的金屬叉指電極以及設(shè)置于所述壓電基片上的反射柵區(qū)；所述反射柵區(qū)包括若干設(shè)置于壓電基片上的柵區(qū)槽以及若干形成于所述壓電基片上的槽間隔離柱，所述柵區(qū)槽與槽間隔離柱間交替分布，且柵區(qū)槽的長(zhǎng)度方向與槽間隔離柱的長(zhǎng)度方向相一致。本發(fā)明工藝步驟簡(jiǎn)單，與現(xiàn)有常規(guī)聲表面波器件制造工藝可兼容，能使得聲表面波諧振器具有較高的Q值。 |
