硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910871850.1 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN110534439B 公開(公告)日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN110534439B 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01L21/52;H01L23/24;H01L21/329 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 辛清樂;張明;王濤;張世權(quán) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 無錫中微晶園電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 代理人 曹祖良
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)長(zhǎng)江路21號(hào)信息產(chǎn)業(yè)園A座203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種雪崩二極管的封裝方法,具體涉及硅片墊片用于雪崩二極管降噪的封裝方法。本發(fā)明雪崩二極管降噪的封裝方法,包括如下步驟:(a)提供雪崩二極管封裝的管座;(b)在雪崩二極管管座上使用絕緣膠進(jìn)行硅片墊片的粘接;(c)在硅片基座上使用銀膠進(jìn)行芯片的粘接;(d)進(jìn)行鍵合、封帽;其中,步驟(b)中所述硅片墊片的下表面絕緣,上表面導(dǎo)通。本發(fā)明采用契合度更高,價(jià)格更便宜的硅片墊片代替陶瓷墊片進(jìn)行墊接,能夠使整個(gè)結(jié)構(gòu)的契合度更高;且硅片墊片的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單,成本較陶瓷墊片而言,有大幅的降低。