紅外增強(qiáng)型硅基光電探測器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011395096.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112582495A | 公開（公告）日 | 2021-03-30 |
| 申請公布號(hào) | CN112582495A | 申請公布日 | 2021-03-30 |
| 分類號(hào) | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0232(2014.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳全勝;張明;王濤;賀琪 | 申請（專利權(quán)）人 | 無錫中微晶園電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 楊立秋 |
| 地址 | 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園A座二層203室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請?zhí)峁┝艘环N紅外增強(qiáng)型硅基光電探測器，涉及硅基光電探測器技術(shù)領(lǐng)域，所述紅外增強(qiáng)型硅基光電探測器包括：正面減反射膜、pn結(jié)、正面金屬電極、背面全反射結(jié)構(gòu)、背面反射層和背面金屬電極。解決了紅外光不易吸收引起的硅基光電探測器響應(yīng)低的難題，達(dá)到了可以增強(qiáng)紅外波長的光學(xué)吸收的效果。?? |
