一種高精度多晶低阻的工藝制造技術(shù)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011603194.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112707366A 公開（公告）日 2021-04-27
申請公布號 CN112707366A 申請公布日 2021-04-27
分類號 B81B7/02;B81C1/00 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 陳培倉;張冠群;王濤;彭時秋 申請（專利權(quán)）人 無錫中微晶園電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊立秋
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園A座二層203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高精度多晶低電阻的制造方法，屬于MEMS工藝領(lǐng)域。該方法用離子注入提高了電阻精度：因離子注入可以精準控制注入離子種類、能量和劑量，從而可以精確控制電阻的阻值，提高了電阻的精度，使得精度小于1%；注入前退火：目的是使多晶硅晶粒變大，改變了多晶晶格結(jié)構(gòu)，使得帶隙減小，便于注入離子激活；注入后退火：目的是修復(fù)晶格損傷，使注入離子移動到晶格點，將離子激活，從而通過兩次退火降低了多晶硅電阻阻值，可以使得阻值降低至40Ω以內(nèi)；并且通過SiO2層有效阻止了注入離子反擴。