一種光電探測產(chǎn)品鍵合涂絲工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910871848.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110571307B 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN110571307B 申請公布日 2021-06-01
分類號 H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0203;H05K3/30 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱賽寧;張世權(quán);王濤;潘建華 申請（專利權(quán)）人 無錫中微晶園電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫市大為專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 曹祖良
地址 214028 江蘇省無錫市新吳區(qū)長江路21號信息產(chǎn)業(yè)園A座203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于光電探測產(chǎn)品制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光電探測產(chǎn)品鍵合涂絲工藝。本發(fā)明包括如下步驟：（a）X射線探測器進行裝片，在PCB板上涂覆導電膠；（b）將光敏二極管陣列芯片粘連到PCB板表面，并進行高溫固化；（c）進行硅鋁絲鍵合，將光敏二極管陣列芯片與PCB板進行電連接；（d）在上述鍵合絲上使用特定膠水A進行逐個點膠，點膠位置中心為鍵合點；（e）將晶體粘接到芯片表面并固化；（f）使用特定膠水B覆蓋步驟（d）的點膠膠點，并對上述晶體與PCB板間做連接和保護；（g）對上述PCB板進行排針焊接，即得到產(chǎn)品；（h）測試成品的電性能并做可靠性篩選。本發(fā)明工藝步驟簡單，克服了現(xiàn)有涂絲工藝在可靠性和暗電流方面的缺陷。