一種雪崩光電二極管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011190083.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112289882A 公開(kāi)（公告）日 2021-01-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN112289882A 申請(qǐng)公布日 2021-01-29
分類號(hào) H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張明;賀琪;王濤;彭時(shí)秋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫中微晶園電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫派爾特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 楊立秋
地址 214000 江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園A座二層203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種雪崩光電二極管的制造方法，屬于二極管技術(shù)領(lǐng)域。首先提供第一導(dǎo)電類型的襯底，在所述襯底上進(jìn)行兩次外延；氧化所述襯底，再生長(zhǎng)出SIN層；光刻開(kāi)出溝槽區(qū)，并進(jìn)行Trench溝槽刻蝕；進(jìn)行熱氧化隔離，并用多晶POLY填充Trench溝槽；去除表面多晶POLY后再次氧化形成隔離；使用第二導(dǎo)電類型的摻雜劑進(jìn)行高摻雜，形成第二導(dǎo)電電極區(qū)；光刻正面打孔，正反面沉積金屬電極，形成雪崩光電二極管。本發(fā)明的制造方法步驟簡(jiǎn)單，能實(shí)現(xiàn)高增益高速雪崩光電二極管和實(shí)現(xiàn)單元間隔離的效果；增加光電流吸收效率，并且降低雪崩電場(chǎng)從而提高耐壓；本發(fā)明的工藝涉及的設(shè)備、材料為常用MOS器件制作中的通用設(shè)備，不需新增材料及設(shè)備。