能克服多晶高溫后腐蝕殘留的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110769331.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113471065A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471065A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳培倉;張冠群;彭時秋;王濤 申請（專利權(quán)）人 無錫中微晶園電子有限公司
代理機構(gòu) 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 楊立秋
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)信息產(chǎn)業(yè)科技園A座二層203室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種能克服多晶高溫后腐蝕殘留的方法。其包括如下步驟：步驟1、提供襯底，在所述襯底上制備得到多晶硅層；步驟2、對上述多晶硅層進行圖形化，以得到多晶硅圖形層；步驟3、對上述多晶硅圖形層進行所需的高溫退火，并在高溫退火后，進行所需的離子注入工藝；步驟4、在上述多晶硅圖形層上制備遮蔽保護層，所述遮蔽保護層覆蓋在多晶硅圖形層上；步驟5、對上述多晶硅圖形層進行高溫離子激活，以在高溫激活后，能得到所需的多晶硅圖形膜層；步驟6、去除所述多晶硅圖形膜層上的遮蔽保護層。本發(fā)明能提高工藝兼容性，解決先高溫退火再腐蝕工藝時多晶殘留表觀異常，避免殘留可能導致的OS失效，保證產(chǎn)品性能。