一種導模法生長氧化鎵單晶的復合熱場結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820254343.4 申請日 -
公開（公告）號 CN208136383U 公開（公告）日 2018-11-23
申請公布號 CN208136383U 申請公布日 2018-11-23
分類號 C30B15/34;C30B15/14;C30B29/16;C30B33/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳政委 申請（專利權）人 北京銘鎵半導體有限公司
代理機構 北京永創(chuàng)新實專利事務所 代理人 陳政委;北京鎵族科技有限公司
地址 100000 北京市海淀區(qū)清河街道學府樹家園四區(qū)1號樓2單元2102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種導模法生長氧化鎵單晶的復合熱場結構，包括高溫熔融區(qū)和中溫退火區(qū)，中溫退火區(qū)置于高溫熔融區(qū)之上。中溫退火區(qū)采用氧化鋯保溫材料制成，外部纏繞熱鉻鋁高溫電阻加熱絲，對外發(fā)熱。中溫退火區(qū)與高溫融入?yún)^(qū)通過上保溫蓋將隔開。下保溫層的中心開有通孔，用于插入上下高度可調節(jié)的坩堝支撐桿。該復合熱場結構還設置有觀察窗，并配置視頻成像系統(tǒng)。本實用新型在β?Ga2O3氧化稼單晶生長的高溫熔融區(qū)軸向方向上增加中溫退火區(qū)，在充分利用晶體生長期間形成的熱場能量的同時，使中溫退火區(qū)域中形成一個溫度梯度相對小的退火空間，對剛剛生長出來的β?Ga2O3氧化稼單晶進行原位退火，起到降低晶體內部熱應力的效果。