一種導(dǎo)模法生長(zhǎng)氧化鎵單晶的復(fù)合熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201820254343.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN208136383U 公開（公告）日 2018-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN208136383U 申請(qǐng)公布日 2018-11-23
分類號(hào) C30B15/34;C30B15/14;C30B29/16;C30B33/02 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳政委 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京永創(chuàng)新實(shí)專利事務(wù)所 代理人 陳政委;北京鎵族科技有限公司
地址 100000 北京市海淀區(qū)清河街道學(xué)府樹家園四區(qū)1號(hào)樓2單元2102室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種導(dǎo)模法生長(zhǎng)氧化鎵單晶的復(fù)合熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，包括高溫熔融區(qū)和中溫退火區(qū)，中溫退火區(qū)置于高溫熔融區(qū)之上。中溫退火區(qū)采用氧化鋯保溫材料制成，外部纏繞熱鉻鋁高溫電阻加熱絲，對(duì)外發(fā)熱。中溫退火區(qū)與高溫融入?yún)^(qū)通過上保溫蓋將隔開。下保溫層的中心開有通孔，用于插入上下高度可調(diào)節(jié)的坩堝支撐桿。該復(fù)合熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)還設(shè)置有觀察窗，并配置視頻成像系統(tǒng)。本實(shí)用新型在β?Ga2O3氧化稼單晶生長(zhǎng)的高溫熔融區(qū)軸向方向上增加中溫退火區(qū)，在充分利用晶體生長(zhǎng)期間形成的熱場(chǎng)能量的同時(shí)，使中溫退火區(qū)域中形成一個(gè)溫度梯度相對(duì)小的退火空間，對(duì)剛剛生長(zhǎng)出來的β?Ga2O3氧化稼單晶進(jìn)行原位退火，起到降低晶體內(nèi)部熱應(yīng)力的效果。