采用刻蝕技術(shù)擴(kuò)大MCP開口面積比的方法及MCP

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110722026.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113451089A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號(hào) CN113451089A 申請公布日 2021-09-28
分類號(hào) H01J9/12（2006.01）I;H01J43/24（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 邱祥彪;張正君;王健;李婧雯;楊莉莉;朱雙雙;任玲;喬芳建;陳曉倩;王鵬飛;李濤 申請（專利權(quán)）人 北方夜視科技（南京）研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京行高知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王菊花
地址 211106江蘇省南京市江寧區(qū)秣陵街道康平街2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種采用刻蝕技術(shù)擴(kuò)大MCP開口面積比的方法及MCP。在常規(guī)微通道板的腐蝕工序之后，通道陣列已完成制作，此時(shí)，增加一個(gè)刻蝕的步驟，采用一定角度的定向的反應(yīng)離子刻蝕或離子束物理刻蝕，對MCP通道陣列的輸入面進(jìn)行刻蝕處理，處理過程中使得MCP基底進(jìn)行自轉(zhuǎn)，由此可獲得軸對稱的擴(kuò)口結(jié)構(gòu)，顯著擴(kuò)大MCP輸入面的開口面積比，結(jié)合輸入面鍍制較淺電極技術(shù)，在不影響其他性能的情況下，顯著提高M(jìn)CP對于輸入信號(hào)的探測效率。同時(shí)，在此基礎(chǔ)上，在輸入面鍍制具有高二次電子發(fā)射系數(shù)的膜層材料，可進(jìn)一步的提升探測效率。