功率MOSFET

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201420736131.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN204257661U 公開(kāi)（公告）日 2015-04-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN204257661U 申請(qǐng)公布日 2015-04-08
分類(lèi)號(hào) H01L29/78(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;古一夫 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廈門(mén)訊揚(yáng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海芯亮電子科技有限公司;廈門(mén)訊揚(yáng)電子科技有限公司
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號(hào)56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種功率MOSFET，包括襯底、多重終止環(huán)、浮接多晶硅環(huán)、芯片邊界、高溫?zé)嵫趸瘜樱嘀亟K止環(huán)位于襯底和高溫?zé)嵫趸瘜又g，浮接多晶硅環(huán)位于高溫?zé)嵫趸瘜由希酒吔缥挥谝r底的側(cè)面。本實(shí)用新型功率MOSFET能完全消除突波的或瞬時(shí)脈沖對(duì)組件所可能引起的傷害，即能夠提供組件對(duì)突波或瞬時(shí)脈沖更佳的防護(hù)能力。