降低功率晶體管導(dǎo)通電阻的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410843907.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104538308A 公開(kāi)（公告）日 2015-04-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN104538308A 申請(qǐng)公布日 2015-04-22
分類(lèi)號(hào) H01L21/336(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;周雯 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廈門(mén)訊揚(yáng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭國(guó)中
地址 200233 上海市徐匯區(qū)虹漕路461號(hào)56幢8層E室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種降低功率晶體管導(dǎo)通電阻的方法，其包括以下步驟：步驟一，多晶硅沉積，以作為閘極控制導(dǎo)電層；步驟二，多晶硅曝光，顯影及蝕刻以將閘極的設(shè)計(jì)形貌、圖案定義完成；步驟三，多晶硅薄氧化，以形成保護(hù)膜并且消除蝕刻過(guò)程中所造成的傷害；步驟四，氧化層蝕刻，控制蝕刻厚度為1200埃，以作為源極離子植入硅襯底的表面保護(hù)；步驟五，源極離子植入，以定義源極并提供足夠的摻雜濃度。本發(fā)明可以提供一個(gè)均勻的導(dǎo)通電阻，消除因局部高電阻區(qū)域造成組件可靠度的問(wèn)題。