半導(dǎo)體制程中鋁硅接面的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410709841.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104465442B 公開（公告）日 2017-05-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN104465442B 申請(qǐng)公布日 2017-05-24
分類號(hào) H01L21/66(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 廖奇泊;陳俊峰;周雯 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門訊揚(yáng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭國(guó)中
地址 361100 福建省廈門市同安工業(yè)集中區(qū)同安園268-269號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體制程中鋁硅接面的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)方法，包括以下步驟：步驟一，在襯底上依次形成絕緣層、氧化層、金屬層，在金屬層上形成第一護(hù)層；步驟二，在第一護(hù)層上形成第二護(hù)層；步驟三，利用遮光罩進(jìn)行顯影并蝕刻一個(gè)凹槽，凹槽穿過第一護(hù)層、第二護(hù)層后延伸到金屬層中；步驟四，根據(jù)第一護(hù)層和金屬層之間的連接面的表面情況識(shí)別出制程、機(jī)臺(tái)是否正常。本發(fā)明可以在半導(dǎo)體制程中及時(shí)發(fā)現(xiàn)鋁硅接面異常，降低成本和因工藝異常所造成的損失。