一種以單晶碳化硅為基底的Ti-Cu-Ni多層膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110318652.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114318234A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114318234A 申請公布日 2022-04-12
分類號 C23C14/18（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 潘遠志;鄧敏航;馬凌志 申請（專利權(quán)）人 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司
代理機構(gòu) 北京化育知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 秦麗
地址 215000江蘇省蘇州市高新區(qū)長亭路8號大新科技園3幢二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種以單晶碳化硅為基底的Ti?Cu?Ni多層膜及其制備方法，包括單晶碳化硅基板、Ti打底層、Ni金屬層、Cu金屬層、Au金屬層、Pt金屬層和Ausn焊接層，單晶碳化硅基板頂部直流濺射有Ti打底層，且Ti打底層頂部直流濺射有Ni金屬層，Ni金屬層頂部直流濺射有Cu金屬層，本發(fā)明通過調(diào)節(jié)濺射時間、濺射功率，使各層厚度可以人為調(diào)控，有利于提升單晶碳化硅基底的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，提升了焊接性能，同時單晶碳化硅基底與磁場方向成30?60°，結(jié)合單晶碳化硅基底的旋轉(zhuǎn)，保證了單晶碳化硅基底整體鍍膜的均勻性，同時利用大濺射功率在原鍍層上形成大量彌散的形核點，然后利用低的濺射功率，保證了最外側(cè)鍍層的致密性和粘附力，相比于同類型產(chǎn)品導(dǎo)熱性提升20％。