一種銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810797632.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109161849B 公開(kāi)（公告）日 2019-10-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN109161849B 申請(qǐng)公布日 2019-10-11
分類號(hào) C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 宋忠孝;陳東圳;井津域;黃劍;楊波;錢(qián)旦 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 姚詠華
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)長(zhǎng)亭路8號(hào)大新科技園3幢二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列及其制備方法，采用磁控濺射沉積銀、鉭復(fù)合薄膜，將清洗干凈的單晶硅片真空下并沉積鉻膜；然后控制電流強(qiáng)度，分別精確調(diào)控銀、鉭元素沉積速率，維持腔室反應(yīng)壓力，持續(xù)濺射沉積，鉭元素封堵銀在沉積過(guò)程中形成的間隙，在適當(dāng)?shù)你y、鉭元素沉積速率下形成銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列。隨著鉭沉積速率的增加，薄膜表面孔狀陣列會(huì)被鉭元素大量封堵，進(jìn)一步形成更為光滑的薄膜表面形貌。本發(fā)明所制備的銀鉭復(fù)合材料有序多孔陣列制備過(guò)程簡(jiǎn)單，比表面積大，便于大面積生長(zhǎng)，成本低，薄膜表面無(wú)有機(jī)化合物污染，能廣泛應(yīng)用于SERS傳感、金屬催化、納米探針、光電器件、太陽(yáng)能電池，吸附材料等領(lǐng)域。