一種半導(dǎo)體硅片手動酸腐蝕裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201420268828.0 申請日 -
公開（公告）號 CN203941888U 公開（公告）日 2014-11-12
申請公布號 CN203941888U 申請公布日 2014-11-12
分類號 H01L21/67(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫智武;陳衛(wèi)群;寇文杰 申請（專利權(quán)）人 洛陽單晶硅集團(tuán)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 洛陽明律專利代理事務(wù)所 代理人 洛陽單晶硅有限責(zé)任公司
地址 471009 河南省洛陽市西工區(qū)九都路77號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體硅片手動酸腐蝕裝置，用于采用化學(xué)方法去除硅片表面在切片、磨片等機(jī)加過程中產(chǎn)生的損傷層和油污，獲得潔凈光亮、幾何參數(shù)完善的腐蝕硅片。本裝置的腐蝕槽（1）分隔成硅片腐蝕區(qū)（2）、熱交換區(qū)（6）、循環(huán)區(qū)（9）、循環(huán)排氣區(qū)（11）即相互獨(dú)立又相互連通的四個區(qū)，混酸在腐蝕槽（1）內(nèi)部循環(huán)流動。待腐蝕硅片放在腐蝕滾柱（14）的凹槽15中，驅(qū)動裝置（16）驅(qū)動兩根腐蝕滾柱（14）轉(zhuǎn)動?；焖嵩趬嚎盏尿?qū)動下，從熱交換區(qū)（6）到循環(huán)區(qū)（9）、循環(huán)排氣區(qū)（11）再到硅片腐蝕區(qū)（2）。硅片全部浸沒到硅片腐蝕區(qū)（2）的混酸內(nèi)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，通過調(diào)整混酸供應(yīng)管（7）的流量、壓空進(jìn)氣管（10）的流量和壓力、冷卻水管（8）的流量和溫度，可有效控制硅片反應(yīng)溫度、反應(yīng)速度、腐蝕去除量的控制。