一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110202469.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102251274A 公開（公告）日 2011-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN102251274A 申請(qǐng)公布日 2011-11-23
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐建軍;錢榮林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江捷陽新能源有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 代理人 浙江榮馬電子科技有限公司
地址 324300 浙江省開化縣工業(yè)園區(qū)茶場片區(qū)(榮馬電子)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種單晶爐抽氣孔堵塞的處理方法，當(dāng)?shù)染н^程中出現(xiàn)抽氣孔堵塞時(shí)，采取以下步驟排除抽氣孔處的沉積物：A、降下單晶爐內(nèi)溫度至硅的結(jié)晶溫度。B、關(guān)閉單晶爐主室的電磁球閥；C、將單晶爐內(nèi)的氣體壓力從600～800帕升至8萬～9.5萬帕，然后關(guān)閉進(jìn)氣口；D、敲打抽氣管或使之震動(dòng)，使沉積物松動(dòng)，打開單晶爐主室的電磁球閥，使堵塞在抽氣孔中的沉積物被氣流沖走；E、打開進(jìn)氣口，重新調(diào)節(jié)單晶爐內(nèi)的氣體壓力至600～800帕，同時(shí)升高單晶爐內(nèi)溫度至硅的溶點(diǎn)溫度。采用本發(fā)明方法，可以在不停爐的情況下直接排除抽氣孔處的粉塵、氧化物和其它雜質(zhì)等沉積物，減少了能耗，提高了成品率和生產(chǎn)效率。