LED芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911125980.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110783434A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN110783434A 申請公布日 2021-06-11
分類號 H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱玲;吳懿平;呂衛(wèi)平;胡俊華 申請（專利權(quán)）人 深圳遠(yuǎn)芯光路科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中細(xì)軟知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 彭佳偉
地址 518000 廣東省深圳市福田區(qū)梅林街道梅都社區(qū)凱豐路15號深圳新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)園2棟A座601
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種LED芯片及其制備方法，LED芯片上形成有由依次貫穿n型材料層、多量子阱層和p型材料層的納米柱組成的第一納米柱區(qū)域和第二納米柱區(qū)域。這種LED芯片上形成有第一納米柱區(qū)域和第二納米柱區(qū)域，結(jié)合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，納米柱的直徑變化可以改變納米柱內(nèi)的多量子阱層的發(fā)光波長，通過第一納米柱區(qū)域內(nèi)的納米柱的直徑大于第二納米柱區(qū)域內(nèi)的納米柱的直徑，從而可以使得第一納米柱區(qū)域和第二納米柱區(qū)域分別發(fā)出波長不同的光，從而使得這種LED芯片可以實(shí)現(xiàn)多彩顯示。