可調(diào)高度真空吸平臺模塊
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011284293.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112599464A | 公開(公告)日 | 2021-04-02 |
申請公布號 | CN112599464A | 申請公布日 | 2021-04-02 |
分類號 | H01L33/48(2010.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 賀云波;言益軍;王波;劉青山;崔成強 | 申請(專利權(quán))人 | 寧波阿凡達半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
代理機構(gòu) | 寧波甬致專利代理有限公司 | 代理人 | 李迎春 |
地址 | 315200浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)蛟川街道鎮(zhèn)寧西路123號西電寧波產(chǎn)業(yè)園C幢2樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了可調(diào)高度真空吸平臺模塊,屬于晶圓片加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,它包括真空吸附平臺;位置調(diào)整部件,真空吸附平臺分為上中下三層,該下層設(shè)有若干個相互平行且長度呈遞增或遞減的導(dǎo)氣槽,真空吸附平臺中層設(shè)有若干條與導(dǎo)氣槽接通的面板導(dǎo)槽,面板導(dǎo)槽與導(dǎo)氣槽覆蓋住真空吸附平臺的待吸附面,真空吸附平臺上層均勻設(shè)有氣孔,氣孔將由面板導(dǎo)槽與導(dǎo)氣槽接通構(gòu)成氣室與真空吸附平臺表面接通,真空吸附平臺上還設(shè)有用于連接負壓發(fā)生裝置的進氣口和出氣口。本發(fā)明提出了一種可調(diào)高度真空吸平臺模塊,其吸附作用面積分為若干個區(qū)間,不同區(qū)間相互組合形成多種規(guī)格,用以適應(yīng)晶圓的加工要求。?? |
