無(wú)制冷抗反射InP基量子點(diǎn)/量子阱耦合EML外延片的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111293051.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114188823A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN114188823A 申請(qǐng)公布日 2022-03-15
分類號(hào) H01S5/343（2006.01）I;H01S5/12（2021.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王巖;徐鵬飛;羅帥;季海銘 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇華興激光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇長(zhǎng)德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 詹朝
地址 221300江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 無(wú)制冷抗反射InP基量子點(diǎn)/量子阱耦合EML外延片的制備方法，對(duì)基于InP襯底的量子點(diǎn)激光器內(nèi)的量子點(diǎn)層疊區(qū)域，增設(shè)同由歐姆接觸層覆蓋的且與量子點(diǎn)層疊區(qū)域水平耦合的量子阱電吸收調(diào)制區(qū)。其為通過(guò)分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積制備的、采用對(duì)接生長(zhǎng)方式將量子點(diǎn)分布反饋激光器和量子阱電吸收調(diào)制器進(jìn)行集成生長(zhǎng)成的電吸收調(diào)制激光器；該電吸收調(diào)制激光器將量子點(diǎn)激光器優(yōu)異的抗反射及高溫度穩(wěn)定性的特點(diǎn)和量子阱電吸收調(diào)制器高調(diào)制速率的特性結(jié)合，實(shí)現(xiàn)在無(wú)光隔離器、無(wú)制冷條件下5?75℃的穩(wěn)定工作。制備方法的步驟清晰簡(jiǎn)單，易操作，制備的電吸收調(diào)制激光器效果好，性能穩(wěn)定，可持續(xù)工作，具有很強(qiáng)的實(shí)用性和廣泛的適用性。