一種半導(dǎo)體缺陷對熒光壽命影響的檢測裝置及檢測方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111251520.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113984727A | 公開(公告)日 | 2022-01-28 |
申請公布號 | CN113984727A | 申請公布日 | 2022-01-28 |
分類號 | G01N21/64(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I | 分類 | 測量;測試; |
發(fā)明人 | 王巖;徐鵬飛;羅帥;季海銘 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇華興激光科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 武漢江楚智匯知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 矯婭琳 |
地址 | 221327江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體缺陷對熒光壽命影響的檢測裝置及檢測方法,檢測裝置的不同之處在于:其包括光發(fā)射系統(tǒng)、光分離收集系統(tǒng)和檢測系統(tǒng);光發(fā)射系統(tǒng)包括能聚焦至半導(dǎo)體樣品表面同一位置的脈沖激光光源和連續(xù)激光光源,連續(xù)激光光源能聚焦至半導(dǎo)體樣品表面以使半導(dǎo)體樣品的缺陷電子態(tài)飽和,連續(xù)激光光源的光子能量可調(diào)且其光子能量與半導(dǎo)體樣品內(nèi)的任一深能級缺陷能級與價(jià)帶的能量間隔相同,脈沖激光光源能聚焦至半導(dǎo)體樣品表面以激發(fā)半導(dǎo)體樣品的光致發(fā)光;光分離收集系統(tǒng)用于分離并收集光致發(fā)光信號;檢測系統(tǒng)用于檢測光分離收集系統(tǒng)收集的光致發(fā)光信號的熒光壽命。本發(fā)明能有效檢測半導(dǎo)體缺陷對熒光壽命影響,使用方便。 |
