一種半導(dǎo)體深能級(jí)缺陷檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111237939.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113970559A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113970559A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-25 |
| 分類號(hào) | G01N21/95（2006.01）I;G01N21/63（2006.01）I;G01R27/26（2006.01）I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 王巖;徐鵬飛;羅帥;季海銘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 江蘇華興激光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢江楚智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 矯婭琳 |
| 地址 | 221327江蘇省徐州市邳州經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)遼河西路北側(cè)、華山北路西側(cè) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體深能級(jí)缺陷檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法，其不同之處在于：檢測(cè)裝置包括寬光譜光源、單色儀、電子開(kāi)關(guān)、連續(xù)激光光源、光纖合束器、透鏡、冷阱、電容測(cè)試儀和脈沖發(fā)生器；脈沖發(fā)生器用于給電子開(kāi)關(guān)提供脈沖控制信號(hào)；寬光譜光源依次經(jīng)過(guò)單色儀、電子開(kāi)關(guān)、光纖合束器和透鏡后聚焦至半導(dǎo)體樣品表面，用于激發(fā)半導(dǎo)體樣品產(chǎn)生光電容信號(hào)；連續(xù)激光光源依次經(jīng)過(guò)光纖合束器和透鏡后聚焦至半導(dǎo)體樣品表面，用于使半導(dǎo)體樣品的深能級(jí)缺陷電子態(tài)飽和；冷阱用于放置半導(dǎo)體樣品及改變半導(dǎo)體樣品的溫度；電容測(cè)試儀用于測(cè)量半導(dǎo)體樣品的電容信號(hào)。本發(fā)明能有效地檢測(cè)判斷缺陷對(duì)載流子復(fù)合的貢獻(xiàn)。 |
