一種SOI壓力應(yīng)變計(jì)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310719756.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103712721B 公開(kāi)（公告）日 2016-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103712721B 申請(qǐng)公布日 2016-05-11
分類(lèi)號(hào) G01L1/18(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類(lèi) 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇;梁棟漢;阮炳權(quán) 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 新會(huì)康宇測(cè)控儀器儀表工程有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 馮劍明
地址 529100 廣東省江門(mén)市新會(huì)區(qū)會(huì)城西門(mén)路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種SOI壓力應(yīng)變計(jì)及其制作方法，所述應(yīng)變計(jì)的硅襯底為單晶硅或多晶硅材料，在硅襯底表面形成二氧化硅絕緣薄膜，在絕緣薄膜表面再形成單晶硅或多晶硅薄膜作為力敏電阻制作材料，通過(guò)半導(dǎo)體平面工藝形成2個(gè)或4個(gè)電學(xué)性能完全絕緣的力敏電阻，通過(guò)內(nèi)金屬引線把力敏電阻連接成半橋或全橋惠斯頓電路。金屬內(nèi)引線是在摻濃硼的單晶硅或多晶硅層表面行走。二氧化硅絕緣薄膜電阻率高達(dá)1015Ω-cm，保證力敏電阻之間沒(méi)有電泄漏。因此可用于工作溫度高達(dá)300℃以上的軍事工業(yè)上。由于采用了高濃度的單晶硅或多晶硅材料制作力敏電阻，所以靈敏度和零點(diǎn)的溫度系數(shù)達(dá)到了10-6VB/℃以上。具有高溫低漂移的優(yōu)良特性。